Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDT86256

MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
FDT86256

FDT86256 Hakkında

FDT86256, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-223-4 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 10V gate geriliminde 845mOhm maksimum on-direnci ve 2 nC gate yükü ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir operasyon sağlar. LED sürücüleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 845mOhm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok