Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT86106LZ
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT86106
FDT86106LZ Hakkında
FDT86106LZ, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 108mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli performans sunar. SOT223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve düşük gate charge gereksinimi ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok