Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
FDT86102

FDT86102LZ Hakkında

FDT86102LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 28mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji kaybı düşük tutulur. SOT-223-4 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyarlanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalarda güvenilir işletim sağlar. Motor kontrolü, güç anahtarlaması, DC-DC dönüştürücüler ve benzer anahtarlama devreleri için tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok