Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT55AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT55AN06LA0
FDT55AN06LA0 Hakkında
FDT55AN06LA0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. SOT223-4 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, ±20V gate gerilimi desteği ile geniş kontrol aralığı sunar. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 8.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok