Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT4N50NZU
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT4N50NZ
FDT4N50NZU Hakkında
FDT4N50NZU, onsemi tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltajı ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-261 (SOT-223) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 3Ω maksimum Ron değeri ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel denetim devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 476 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok