Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT461N
MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT461N
FDT461N Hakkında
FDT461N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 100V Drain-Source gerilim, 540mA sürekli drain akımı ve 2Ω maksimum Ron değerine sahiptir. SOT-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 10V ve 4.5V sürücü gerilimleri ile uyumlu tasarımı, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 540mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 74 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.13W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 540mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok