Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT458P
FDT458P Hakkında
FDT458P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 130mOhm maksimum on-state direnci (10V, 3.4A'de) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDT458P, anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde ve yük kontrolü uygulamalarında kullanılır. 3.5nC gate charge ve 205pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 3W güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok