Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
FDT434

FDT434P Hakkında

FDT434P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim kapasitesine ve 6A sürekli drain akımına sahiptir. Maksimum 50mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıplarla anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±8V gate gerilim aralığında çalışabilir. SOT-223-4 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. DC/DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması devreleri, batarya yönetim sistemleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge değeri (19nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama sağlar. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok