Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT434P
6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT434P
FDT434P Hakkında
FDT434P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 6A sürekli dren akımı, 20V dren-kaynak gerilimi ve 50mOhm (4.5V, 6A koşullarında) düşük on-direnci ile karakterize edilmiştir. TO-261-4 (SOT-223-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ±8V maksimum gate gerilimi ve 1V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan FDT434P, güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1187 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok