Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT3612
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT3612
FDT3612 Hakkında
FDT3612, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 120mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp karakteristiği sunar. TO-261-4 (SOT-223-4) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama regülatörü tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 3W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 632 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok