Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDT3612

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
FDT3612

FDT3612 Hakkında

FDT3612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, 120mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-223-4 paketinde sunulan FDT3612, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Düşük gate charge değeri (20nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 3W maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok