Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDT1600N10A
FDT1600N10ALZ Hakkında
FDT1600N10ALZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlemlerini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Surface Mount SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10.42W maksimum güç tüketimi derecesiyle ısı yönetimi gerektiren devrelerde tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 10.42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok