Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS8928A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8928A

FDS8928A Hakkında

FDS8928A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N ve P-Channel Power MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V ve 20V Drain-Source voltaj seviyelerinde çalışabilir. 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 30mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma performansı gösterir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtar uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A, 4A
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok