Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8896

FDS8896 Hakkında

FDS8896, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan FDS8896, 8-SOIC Surface Mount paketinde sunulmaktadır. 2.5V kapı eşik gerilimi ve ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ile entegre kontrolör devreleri tarafından doğrudan kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok