Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS8882
FDS8882 Hakkında
FDS8882, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile çalışmaya tasarlanmıştır. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-SOIC paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyundur. Düşük gate charge (20nC) hızlı anahtarlama sağlar. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ile standart TTL/CMOS lojik seviyeleri ile sürülebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok