Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS8880

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8880

FDS8880 Hakkında

FDS8880, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 11.6A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 10mOhm'luk düşük on-state direnci, minimal güç kaybı ve verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları, LED sürücüleri, elektrikli araç uygulamaları ve anahtarlamali güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1235 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok