Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS8878
FDS8878 Hakkında
FDS8878, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 10.2A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 14mOhm düşük on-state direnci (Rds On) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 897 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok