Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS8870_G
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS8870
FDS8870_G Hakkında
FDS8870_G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücü uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve switching regülatörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge karakteristiği ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4615 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok