Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8870

FDS8870 Hakkında

FDS8870, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 18A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, düşük on-direnci (RDS(on)) karakteristiği sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yük anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 4.5V ve 10V sürücü gerilimlerinde farklı RDS(on) değerleri sunarak uygulama esnekliği verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4615 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok