Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS8670

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8670

FDS8670 Hakkında

FDS8670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paket türünde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4040 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok