Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS86267P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS86267P
FDS86267P Hakkında
FDS86267P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET türü küçük sinyal alan-etki transistörüdür. 150V Drain-Source voltaj ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. Maksimum 255mOhm on-direnci (10V, 2.2A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulur ve aktif üretimde olan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok