Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS86267P
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS86267P
FDS86267P Hakkında
FDS86267P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj dayanımı ve 2.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 255mOhm On-State Resistance (RDS(on)) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulur. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. 16nC gate charge ve 1130pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok