Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS86252
FDS86252 - N-CHANNEL POWER TRENC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS86252
FDS86252 Hakkında
FDS86252, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli drain akımı ve 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde verimli performans sağlar. Gate charge değeri 15nC olarak belirtilmiş olup hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS86252, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok