Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS86106

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS86106

FDS86106 Hakkında

FDS86106, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-pin SOIC yüzey montajlı paket ile sunulur. 105mΩ maksimum drain-source direnci (10V kapı geriliminde, 3.4A akımda) ve 4nC gate şarjı özellikleri ile güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, anahtar uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 5W güç tüketiminde çalışabilir. ±20V maksimum kapı gerilimi ile geniş uyumluluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 208 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok