Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS7788

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS7788

FDS7788 Hakkında

FDS7788, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve yüksek frekanslı switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge (48nC) ile hızlı switching özelliği sunar. Parça üretimi sonlandırılmış olup, stok tükenmesi sonrasında temin edilememektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok