Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS7779Z
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS7779Z
FDS7779Z Hakkında
FDS7779Z, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı ile karakterize edilmiştir. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 7.2mΩ on-direnç değerine sahiptir. Gate charge değeri 10V'ta 98nC olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. 2.5W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Uygun kapı sürücü devreleri ile kullanıldığında hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok