Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS7779Z
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS7779
FDS7779Z Hakkında
FDS7779Z, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-state direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 98nC (@10V) ve input capacitance 3800pF (@15V) olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Vgs(th) 3V (@250µA) ile hızlı açma kapama özelliği sunar. Ürün statüsü kullanım dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok