Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS7060N7

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS7060N

FDS7060N7 Hakkında

FDS7060N7, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mΩ @ 10V Vgs değerindeki düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 8-SO yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlara uygundur. Gate charge değeri 56nC ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Tasarı aşamasında Rds On, Vgs(th) ve Input Capacitance parametreleri hesaplamalarda dikkate alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3274 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok