Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS7060N7

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS7060N

FDS7060N7 Hakkında

FDS7060N7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5mΩ maksimum on-state direnci, düşük güç kaybı sağlayan tasarımları için uygun hale getirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 8-SO yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına entegre edilebilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Vgs(th) 3V @ 250µA eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar. Ürün mevcut stok durumu itibariyle kullanımdan kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3274 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok