Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6912
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6912
FDS6912 Hakkında
FDS6912, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında çalışabilir. 30V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 28mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama yapabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, switch modülatörleri ve voltage regülatör uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-SOIC pakette sunulur ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok