Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6892A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6892A
FDS6892A Hakkında
FDS6892A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle çalışır. 18mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. 900mW maksimum güç dağıtım kapasitesine ve geniş çalışma sıcaklık aralığına (-55°C ile 150°C) sahiptir. Surface mount 8-SOIC paket ile sağlanan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.5V eşik voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1333pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok