Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6699S
FDS6699S Hakkında
FDS6699S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajı ve 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygundur. 3.6mOhm düşük on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılabilir. Gate charge 91nC ve 3610pF input kapasitansi özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, elektrik tiyatroları, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3610 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok