Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6694
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6694
FDS6694 Hakkında
FDS6694, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 11mΩ maksimum açık duruma geçiş direnci (RDS On) ile çalışır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. 19nC kapı yükü ve 1293pF giriş kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 2.5W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1293 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok