Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6692A

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6692A

FDS6692A Hakkında

FDS6692A, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 11.5mΩ maksimum on-direnci (10V Vgs'de) ve düşük kapıya ait yük (29nC) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Şu anda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok