Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6692
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6692
FDS6692 Hakkında
FDS6692, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük sinyalli N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve ses uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri (10V gate geriliminde) ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.5V-10V arasında sürücü gerilimi gerektiren bu transistör, mobil cihazlar, güç denetim devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok