Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6690S
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6690S
FDS6690S Hakkında
FDS6690S, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 10V gate geriliminde 16mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 1W maksimum güç saçılımı ve 16nC gate yükü özellikleri ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok