Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6690AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6690AS
FDS6690AS Hakkında
FDS6690AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu küçük sinyal FET, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30V drain-source voltaj derecesi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile kompakt anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 12mOhm (@ 10A, 10V) düşük RDS(on) değeri ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimli güç dönüştürme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaza uygun sıcaklık aralığında işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok