Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6690AS

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6690AS

FDS6690AS Hakkında

FDS6690AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi, 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 12mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Voltaj düzenleyiciler, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 23nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Son ürün (Last Time Buy) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok