Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6690A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6690A

FDS6690A Hakkında

FDS6690A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı kasa içinde sunulmaktadır. 12.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanal direncine sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate eşik gerilimi 3V @ 250µA'da ve maksimum ±20V gate-source gerilimi toleransı vardır. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1205 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok