Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6690
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6690
FDS6690 Hakkında
FDS6690, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 10V Vgs'de 13.5mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında dayanıklı performans sağlayan FDS6690, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 1W maksimum güç tüketimi ve düşük kapasitans değerleri ile veri iletişim ve analog sinyal işleme devrelerine de uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok