Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6689S
FDS6689S Hakkında
FDS6689S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 16A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. Düşük RDS(on) değeri (5.4mOhm @ 16A, 10V) ile enerji kaybı minimize edilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. ±20V maksimum gate-source gerilimi destekler. Parça artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok