Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6688S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6688S

FDS6688S Hakkında

FDS6688S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 16A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate voltajında 6mOhm düşük on-direnç değerine ulaşır. Gate charge 78nC ve input capacitance 3290pF ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlanmış güç kaynakları ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılan bu bileşen, düşük on-direnci ve yüksek akım handling kapasitesi sayesinde verimliliği artırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok