Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6682

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6682

FDS6682 Hakkında

FDS6682, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamalar için tasarlanmış bu transistör, 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey monte paketi ile sunulan bileşen, düşük on-state direnci (7.5mOhm @ 14A, 10V) sayesinde verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan FDS6682, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge karakteristiği (31nC @ 5V) sayesinde hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok