Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6681Z

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6681Z

FDS6681Z Hakkında

FDS6681Z, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 20A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 4.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7540 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok