Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6680S
FDS6680S Hakkında
FDS6680S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim desteği ile 11.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 11mΩ ile düşük iletim direnci (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilmektedir. 2.5W güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Cihaz ESA kodlarına göre Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok