Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6680S
FDS6680S Hakkında
FDS6680S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 11.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 11mΩ (10V, 11.5A) On-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanım imkanı sunar. Gate charge 24nC (5V) ve düşük input capacitance (2010pF @ 15V) özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Güç yönetimi, motor sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve dijital lojik arayüz uygulamalarında kullanılabilir. Parça statüsü discontinued olduğundan yeni tasarımlarda alternatif seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok