Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6680A
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6680A
FDS6680A Hakkında
FDS6680A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 12.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 9.5mOhm drain-source direnç (Rds On) ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDS6680A, düşük gate charge gereksinimleri sayesinde hızlı anahtarlama ve verimli devre tasarımı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok