Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6680
FDS6680 Hakkında
FDS6680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 11.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance değeri (10mOhm @ 11.5A, 10V) ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler, güç yönetimi ve switch-mode güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. Maksimum ±20V gate gerilimi toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sağlar. Lütfen dikkat: Bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok