Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS6679Z
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS6679Z
FDS6679Z Hakkında
FDS6679Z, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 13A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Maksimum 9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge değeri 94nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, power management, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer bulur. Maksimum 2.5W güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Dikkat: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3803 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok