Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS6679AZ

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6679AZ

FDS6679AZ Hakkında

FDS6679AZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 9.3mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDS6679AZ, güç yönetimi, motor kontrolü, batarya şarj sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir MOSFET transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok